-
1 схема включения включения транзистора с заземленной базой
Русско-английский научный словарь > схема включения включения транзистора с заземленной базой
-
2 схема включения включения транзистора с заземленным коллектором
Русско-английский научный словарь > схема включения включения транзистора с заземленным коллектором
-
3 схема включения транзистора
Engineering: transistor connection circuitУниверсальный русско-английский словарь > схема включения транзистора
-
4 схема включения транзистора с заземлённой базой
Engineering: common base circuitУниверсальный русско-английский словарь > схема включения транзистора с заземлённой базой
-
5 схема включения транзистора с заземлённым коллектором
Engineering: common collector circuitУниверсальный русско-английский словарь > схема включения транзистора с заземлённым коллектором
-
6 основные схемы включения транзистора
adjelectr. TransistorgrundschaltungenУниверсальный русско-немецкий словарь > основные схемы включения транзистора
-
7 время включения полевого транзистора
время включения полевого транзистора
время включения
Интервал времени, являющийся суммой времени задержки включения и времени нарастания для полевого транзистора.
Обозначение
tвкл
ton
[ ГОСТ 19095-73]Тематики
Синонимы
EN
DE
FR
- temps total d’établissement
Русско-немецкий словарь нормативно-технической терминологии > время включения полевого транзистора
-
8 время включения полевого транзистора
время включения полевого транзистора
время включения
Интервал времени, являющийся суммой времени задержки включения и времени нарастания для полевого транзистора.
Обозначение
tвкл
ton
[ ГОСТ 19095-73]Тематики
Синонимы
EN
DE
FR
- temps total d’établissement
Русско-английский словарь нормативно-технической терминологии > время включения полевого транзистора
-
9 время включения полевого транзистора
- temps total d’établissement
время включения полевого транзистора
время включения
Интервал времени, являющийся суммой времени задержки включения и времени нарастания для полевого транзистора.
Обозначение
tвкл
ton
[ ГОСТ 19095-73]Тематики
Синонимы
EN
DE
FR
- temps total d’établissement
Русско-французский словарь нормативно-технической терминологии > время включения полевого транзистора
-
10 коэффициент усиления по мощности биполярного транзистора
коэффициент усиления по мощности биполярного транзистора
Отношение мощности на выходе транзистора к мощности, подаваемой на вход транзистора, при определенной частоте и схеме включения.
Обозначение
KyP
Gp
[ ГОСТ 20003-74]Тематики
EN
DE
FR
34. Коэффициент усиления по мощности биполярного транзистора
D. Leistungsverstärkung
E. Power gain
F. Gain en puissance
КyP
Отношение мощности на выходе транзистора к мощности, подаваемой на вход транзистора, при определенной частоте и схеме включения
Источник: ГОСТ 20003-74: Транзисторы биполярные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Русско-немецкий словарь нормативно-технической терминологии > коэффициент усиления по мощности биполярного транзистора
-
11 коэффициент усиления по мощности биполярного транзистора
коэффициент усиления по мощности биполярного транзистора
Отношение мощности на выходе транзистора к мощности, подаваемой на вход транзистора, при определенной частоте и схеме включения.
Обозначение
KyP
Gp
[ ГОСТ 20003-74]Тематики
EN
DE
FR
34. Коэффициент усиления по мощности биполярного транзистора
D. Leistungsverstärkung
E. Power gain
F. Gain en puissance
КyP
Отношение мощности на выходе транзистора к мощности, подаваемой на вход транзистора, при определенной частоте и схеме включения
Источник: ГОСТ 20003-74: Транзисторы биполярные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Русско-английский словарь нормативно-технической терминологии > коэффициент усиления по мощности биполярного транзистора
-
12 коэффициент усиления по мощности биполярного транзистора
коэффициент усиления по мощности биполярного транзистора
Отношение мощности на выходе транзистора к мощности, подаваемой на вход транзистора, при определенной частоте и схеме включения.
Обозначение
KyP
Gp
[ ГОСТ 20003-74]Тематики
EN
DE
FR
34. Коэффициент усиления по мощности биполярного транзистора
D. Leistungsverstärkung
E. Power gain
F. Gain en puissance
КyP
Отношение мощности на выходе транзистора к мощности, подаваемой на вход транзистора, при определенной частоте и схеме включения
Источник: ГОСТ 20003-74: Транзисторы биполярные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Русско-французский словарь нормативно-технической терминологии > коэффициент усиления по мощности биполярного транзистора
-
13 время включения биполярного транзистора
время включения биполярного транзистора
Интервал времени, являющийся суммой времени задержки и времени нарастания.
Обозначение
tвкл
ton
[ ГОСТ 20003-74]Тематики
EN
DE
FR
- temps total d’établissement
40. Время включения биполярного транзистора
D. Einschaltzeit
E. Turn-on time
F. Temps total d'établissement
tвкл
Интервал времени, являющийся суммой времени задержки и времени нарастания
Источник: ГОСТ 20003-74: Транзисторы биполярные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Русско-немецкий словарь нормативно-технической терминологии > время включения биполярного транзистора
-
14 время включения биполярного транзистора
время включения биполярного транзистора
Интервал времени, являющийся суммой времени задержки и времени нарастания.
Обозначение
tвкл
ton
[ ГОСТ 20003-74]Тематики
EN
DE
FR
- temps total d’établissement
40. Время включения биполярного транзистора
D. Einschaltzeit
E. Turn-on time
F. Temps total d'établissement
tвкл
Интервал времени, являющийся суммой времени задержки и времени нарастания
Источник: ГОСТ 20003-74: Транзисторы биполярные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Русско-английский словарь нормативно-технической терминологии > время включения биполярного транзистора
-
15 время включения биполярного транзистора
- temps total d’établissement
- Temps total d'établissement
время включения биполярного транзистора
Интервал времени, являющийся суммой времени задержки и времени нарастания.
Обозначение
tвкл
ton
[ ГОСТ 20003-74]Тематики
EN
DE
FR
- temps total d’établissement
40. Время включения биполярного транзистора
D. Einschaltzeit
E. Turn-on time
F. Temps total d'établissement
tвкл
Интервал времени, являющийся суммой времени задержки и времени нарастания
Источник: ГОСТ 20003-74: Транзисторы биполярные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Русско-французский словарь нормативно-технической терминологии > время включения биполярного транзистора
-
16 время задержки включения полевого транзистора
время задержки включения полевого транзистора
время задержки включения
Интервал времени между 10%-ным значением амплитуды фронта входного импульса, включающего полевой транзистор, и 10%-ным значением амплитуды фронта выходного импульса.
Обозначение
tзд.вкл
td(on)
[ ГОСТ 19095-73]Тематики
Синонимы
EN
DE
FR
Русско-немецкий словарь нормативно-технической терминологии > время задержки включения полевого транзистора
-
17 время задержки включения полевого транзистора
время задержки включения полевого транзистора
время задержки включения
Интервал времени между 10%-ным значением амплитуды фронта входного импульса, включающего полевой транзистор, и 10%-ным значением амплитуды фронта выходного импульса.
Обозначение
tзд.вкл
td(on)
[ ГОСТ 19095-73]Тематики
Синонимы
EN
DE
FR
Русско-английский словарь нормативно-технической терминологии > время задержки включения полевого транзистора
-
18 время задержки включения полевого транзистора
время задержки включения полевого транзистора
время задержки включения
Интервал времени между 10%-ным значением амплитуды фронта входного импульса, включающего полевой транзистор, и 10%-ным значением амплитуды фронта выходного импульса.
Обозначение
tзд.вкл
td(on)
[ ГОСТ 19095-73]Тематики
Синонимы
EN
DE
FR
Русско-французский словарь нормативно-технической терминологии > время задержки включения полевого транзистора
-
19 коэффициент усиления по мощности полевого транзистора
коэффициент усиления по мощности полевого транзистора
коэффициент усиления по мощности
Отношение мощности на выходе полевого транзистора к мощности на входе при определенной частоте и схеме включения.
Обозначение
Kур
Gp
[ ГОСТ 19095-73]Тематики
Синонимы
EN
DE
FR
Русско-немецкий словарь нормативно-технической терминологии > коэффициент усиления по мощности полевого транзистора
-
20 коэффициент усиления по мощности полевого транзистора
коэффициент усиления по мощности полевого транзистора
коэффициент усиления по мощности
Отношение мощности на выходе полевого транзистора к мощности на входе при определенной частоте и схеме включения.
Обозначение
Kур
Gp
[ ГОСТ 19095-73]Тематики
Синонимы
EN
DE
FR
Русско-английский словарь нормативно-технической терминологии > коэффициент усиления по мощности полевого транзистора
- 1
- 2
См. также в других словарях:
время включения — 2.5.43 время включения : Интервал времени между началом замыкания и моментом, когда в главной цепи появится ток. МЭК 60050(441 17 40). Источник: ГОСТ Р 50030.1 2000: Аппаратура распределения и управления низковольтная. Часть 1. Общие требования и … Словарь-справочник терминов нормативно-технической документации
время включения полевого транзистора — время включения Интервал времени, являющийся суммой времени задержки включения и времени нарастания для полевого транзистора. Обозначение tвкл ton [ГОСТ 19095 73] Тематики полупроводниковые приборы Синонимы время включения EN turn on time DE… … Справочник технического переводчика
время задержки включения полевого транзистора — время задержки включения Интервал времени между 10% ным значением амплитуды фронта входного импульса, включающего полевой транзистор, и 10% ным значением амплитуды фронта выходного импульса. Обозначение tзд.вкл td(on) [ГОСТ 19095 73] Тематики… … Справочник технического переводчика
коэффициент усиления по мощности биполярного транзистора — Отношение мощности на выходе транзистора к мощности, подаваемой на вход транзистора, при определенной частоте и схеме включения. Обозначение KyP Gp [ГОСТ 20003 74] Тематики полупроводниковые приборы EN power gain DE Leistungsverstärkung FR gain… … Справочник технического переводчика
Коэффициент усиления по мощности биполярного транзистора — 34. Коэффициент усиления по мощности биполярного транзистора D. Leistungsverstärkung E. Power gain F. Gain en puissance КyP Отношение мощности на выходе транзистора к мощности, подаваемой на вход транзистора, при определенной частоте и схеме… … Словарь-справочник терминов нормативно-технической документации
время включения биполярного транзистора — Интервал времени, являющийся суммой времени задержки и времени нарастания. Обозначение tвкл ton [ГОСТ 20003 74] Тематики полупроводниковые приборы EN turn on time DE Einschaltzeit FR temps total d’établissement … Справочник технического переводчика
Время включения биполярного транзистора — 40. Время включения биполярного транзистора D. Einschaltzeit E. Turn on time F. Temps total d établissement tвкл Интервал времени, являющийся суммой времени задержки и времени нарастания Источник: ГОСТ 20003 74: Транзисторы биполярные. Термины,… … Словарь-справочник терминов нормативно-технической документации
коэффициент усиления по мощности полевого транзистора — коэффициент усиления по мощности Отношение мощности на выходе полевого транзистора к мощности на входе при определенной частоте и схеме включения. Обозначение Kур Gp [ГОСТ 19095 73] Тематики полупроводниковые приборы Синонимы коэффициент усиления … Справочник технического переводчика
Биполярный транзистор — Обозначение биполярных транзисторов на схемах Простейшая наглядная схема устройства транзистора Биполярный транзистор трёхэлектродный полупроводниковый прибор, один из типов транзистора. Электроды подключены к трём последовательно… … Википедия
Биполярные транзисторы — Обозначение биполярных транзисторов на схемах Простейшая наглядная схема устройства транзистора Биполярный транзистор трёхэлектродный полупроводниковый прибор, один из типов транзистора. Электроды подключены к трём последовательно расположенным… … Википедия
ТРАНЗИСТОР БИПОЛЯРНЫЙ — (от лат. bi двойной, двоякий и греч. polos ось, полюс) один из осн. элементов полупроводниковой электроники. Создан в 1948 Дж. Бардином (J. Bardeen), У. Браттейном (W. Brattain) и У. Шокли (W. Shockley) (Нобелевская премия по физике, 1956).… … Физическая энциклопедия